SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI3460BDV-T1-GE3 | SI3460BDV-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI3460BDV-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI3460BDV-T1-GE3
LIXINC Part #	SI3460BDV-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI3460BDV-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI3460BDV-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI3460BDV-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.8V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	27mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	24 nC @ 8 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	860 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2W (Ta), 3.5W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-TSOP
paketti/laukku:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6