NVD5802NT4G | Rochester Electronics NVD5802NT4G | NVD5802NT4G Inventory, Best Pricing

NVD5802NT4G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVD5802NT4G
LIXINC Part #	NVD5802NT4G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	16.4A, 40V, 0.0078OHM, N-CHANNE
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVD5802NT4G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVD5802NT4G Tekniset tiedot

Osa numero:	NVD5802NT4G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	16.4A (Ta), 101A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5.3 pF @ 12 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DPAK
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63