FDU6N50TU | Rochester Electronics FDU6N50TU | FDU6N50TU Inventory, Best Pricing

FDU6N50TU

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDU6N50TU
LIXINC Part #	FDU6N50TU
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDU6N50TU PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDU6N50TU Tekniset tiedot

Osa numero:	FDU6N50TU
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	UniFET™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	500 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	16.6 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	940 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	89W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I-PAK
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA