IRFS4229TRLPBF | IR (Infineon Technologies) IRFS4229TRLPBF | IRFS4229TRLPBF Inventory, Best Pricing

IRFS4229TRLPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFS4229TRLPBF
LIXINC Part #	IRFS4229TRLPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFS4229TRLPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFS4229TRLPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFS4229TRLPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	250 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	45A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	48mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4560 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	330W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D²PAK (TO-263AB)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB