NGTB30N135IHRWG | Rochester Electronics NGTB30N135IHRWG | NGTB30N135IHRWG Inventory, Best Pricing

NGTB30N135IHRWG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NGTB30N135IHRWG
LIXINC Part #	NGTB30N135IHRWG
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NGTB30N135IHRWG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NGTB30N135IHRWG Tekniset tiedot

Osa numero:	NGTB30N135IHRWG
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1.35 V
virta - kollektori (ic) (max):	60 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.65V @ 15V, 30A
teho - max:	394 W
vaihtoenergiaa:	850µJ (off)
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	234 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	-/250ns
testi kunto:	600V, 30A, 10Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	-
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-247-3
toimittajan laitepaketti:	TO-247