FF200R12KE3B2HOSA1 | IR (Infineon Technologies) FF200R12KE3B2HOSA1 | FF200R12KE3B2HOSA1 Inventory, Best Pricing

FF200R12KE3B2HOSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FF200R12KE3B2HOSA1
LIXINC Part #	FF200R12KE3B2HOSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 1200V 295A 1050W
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FF200R12KE3B2HOSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FF200R12KE3B2HOSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	FF200R12KE3B2HOSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	Half Bridge
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1200 V
virta - kollektori (ic) (max):	295 A
teho - max:	1050 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 200A
virta - kollektorin katkaisu (max):	5 mA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	14 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	No
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 125°C
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	Module