SI4435DYPBF | IR (Infineon Technologies) SI4435DYPBF | SI4435DYPBF Inventory, Best Pricing

SI4435DYPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI4435DYPBF
LIXINC Part #	SI4435DYPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI4435DYPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI4435DYPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	SI4435DYPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Discontinued at Digi-Key
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2320 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SO
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)