STV160NF02LT4 | STMicroelectronics STV160NF02LT4 | STV160NF02LT4 Inventory, Best Pricing

STV160NF02LT4

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STV160NF02LT4
LIXINC Part #	STV160NF02LT4
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STV160NF02LT4 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STV160NF02LT4 Tekniset tiedot

Osa numero:	STV160NF02LT4
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	STripFET™ II
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	160A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	160 nC @ 10 V
vgs (max):	±15V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4800 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	210W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	10-PowerSO
paketti/laukku:	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad