AOT12N60FDL | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOT12N60FDL

AOT12N60FDL

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AOT12N60FDL
LIXINC Part #	AOT12N60FDL
Valmistaja	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AOT12N60FDL PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AOT12N60FDL Tekniset tiedot

Osa numero:	AOT12N60FDL
Brändi:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2010 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	278W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220
paketti/laukku:	TO-220-3