IRF7665S2TR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF7665S2TR1PBF | IRF7665S2TR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF7665S2TR1PBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF7665S2TR1PBF
LIXINC Part #	IRF7665S2TR1PBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF7665S2TR1PBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF7665S2TR1PBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF7665S2TR1PBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 25µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	515 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.4W (Ta), 30W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DIRECTFET SB
paketti/laukku:	DirectFET™ Isometric SB