PH5330E,115 | NXP Semiconductors PH5330E,115 | PH5330E,115 Inventory, Best Pricing

PH5330E,115

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PH5330E,115
LIXINC Part #	PH5330E,115
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PH5330E,115 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PH5330E,115 Tekniset tiedot

Osa numero:	PH5330E,115
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	5.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2010 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	62.5W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	LFPAK56, Power-SO8
paketti/laukku:	SC-100, SOT-669