SPP10N10L | IR (Infineon Technologies) SPP10N10L | SPP10N10L Inventory, Best Pricing

SPP10N10L

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SPP10N10L
LIXINC Part #	SPP10N10L
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SPP10N10L PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SPP10N10L Tekniset tiedot

Osa numero:	SPP10N10L
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10.3A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	154mOhm @ 8.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 21µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	444 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	50W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3-1
paketti/laukku:	TO-220-3