FQD19N10TM_F080 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQD19N10TM_F080

FQD19N10TM_F080

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FQD19N10TM_F080
LIXINC Part #	FQD19N10TM_F080
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FQD19N10TM_F080 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FQD19N10TM_F080 Tekniset tiedot

Osa numero:	FQD19N10TM_F080
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	QFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	15.6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	780 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D-Pak
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63