IPB023N04NGATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB023N04NGATMA1 | IPB023N04NGATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB023N04NGATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPB023N04NGATMA1
LIXINC Part #	IPB023N04NGATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPB023N04NGATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPB023N04NGATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPB023N04NGATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	90A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 95µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	120 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	10000 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	167W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D²PAK (TO-263AB)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB