IRF7523D1TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7523D1TRPBF | IRF7523D1TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7523D1TRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF7523D1TRPBF
LIXINC Part #	IRF7523D1TRPBF
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF7523D1TRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF7523D1TRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF7523D1TRPBF
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	FETKY™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.7A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	210 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Isolated)
tehohäviö (max):	1.25W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Micro8™
paketti/laukku:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)