NTTS2P03R2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTS2P03R2G

NTTS2P03R2G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTTS2P03R2G
LIXINC Part #	NTTS2P03R2G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTTS2P03R2G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTTS2P03R2G Tekniset tiedot

Osa numero:	NTTS2P03R2G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.1A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 2.48A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	500 pF @ 24 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	600mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Micro8™
paketti/laukku:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)