IPD50R950CEBTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD50R950CEBTMA1 | IPD50R950CEBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD50R950CEBTMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPD50R950CEBTMA1
LIXINC Part #	IPD50R950CEBTMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPD50R950CEBTMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPD50R950CEBTMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPD50R950CEBTMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Discontinued at Digi-Key
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	500 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.3A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	13V
rds päällä (max) @ id, vgs:	950mOhm @ 1.2A, 13V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	10.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	231 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	Super Junction
tehohäviö (max):	34W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO252-3
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63