R6025FNZ1C9 | ROHM Semiconductor R6025FNZ1C9 | R6025FNZ1C9 Inventory, Best Pricing

R6025FNZ1C9

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	R6025FNZ1C9
LIXINC Part #	R6025FNZ1C9
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	R6025FNZ1C9 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

R6025FNZ1C9 Tekniset tiedot

Osa numero:	R6025FNZ1C9
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	25A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3500 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	150W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247
paketti/laukku:	TO-247-3