H7N1002LSTL-E | Renesas Electronics America H7N1002LSTL-E | H7N1002LSTL-E Inventory, Best Pricing

H7N1002LSTL-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	H7N1002LSTL-E
LIXINC Part #	H7N1002LSTL-E
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	H7N1002LSTL-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

H7N1002LSTL-E Tekniset tiedot

Osa numero:	H7N1002LSTL-E
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	75A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	155 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	9700 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	100W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	4-LDPAK
paketti/laukku:	SC-83