IRFN214BTA_FP001 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor IRFN214BTA_FP001

IRFN214BTA_FP001

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFN214BTA_FP001
LIXINC Part #	IRFN214BTA_FP001
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFN214BTA_FP001 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFN214BTA_FP001 Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFN214BTA_FP001
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Box (TB)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	250 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	600mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	10.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	275 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.8W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-92-3
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)