NTD65N03R-1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTD65N03R-1G

NTD65N03R-1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTD65N03R-1G
LIXINC Part #	NTD65N03R-1G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTD65N03R-1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTD65N03R-1G Tekniset tiedot

Osa numero:	NTD65N03R-1G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	9.5A (Ta), 32A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.3W (Ta), 50W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I-PAK
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA