EPC2030ENGRT | EPC EPC2030ENGRT | EPC2030ENGRT Inventory, Best Pricing

EPC2030ENGRT

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	EPC2030ENGRT
LIXINC Part #	EPC2030ENGRT
Valmistaja	EPC
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	GANFET NCH 40V 31A DIE
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	EPC2030ENGRT PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 04 - Jul 08 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

EPC2030ENGRT Tekniset tiedot

Osa numero:	EPC2030ENGRT
Brändi:	EPC
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	EPC
sarja:	eGaN®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Discontinued at Digi-Key
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	GaNFET (Gallium Nitride)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	31A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 30A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 16mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 5 V
vgs (max):	+6V, -4V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Die
paketti/laukku:	Die