PHT8N06LT,135 | NXP Semiconductors PHT8N06LT,135 | PHT8N06LT,135 Inventory, Best Pricing

PHT8N06LT,135

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PHT8N06LT,135
LIXINC Part #	PHT8N06LT,135
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PHT8N06LT,135 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 04 - Jul 08 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PHT8N06LT,135 Tekniset tiedot

Osa numero:	PHT8N06LT,135
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	55 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3.5A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	11.2 nC @ 5 V
vgs (max):	±13V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	650 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-223
paketti/laukku:	TO-261-4, TO-261AA