APT10M09B2VFRG | Microsemi APT10M09B2VFRG | APT10M09B2VFRG Inventory, Best Pricing

APT10M09B2VFRG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	APT10M09B2VFRG
LIXINC Part #	APT10M09B2VFRG
Valmistaja	Microsemi
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	APT10M09B2VFRG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

APT10M09B2VFRG Tekniset tiedot

Osa numero:	APT10M09B2VFRG
Brändi:	Microsemi
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Microsemi
sarja:	POWER MOS V®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 2.5mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	350 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	9875 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	625W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	T-MAX™ [B2]
paketti/laukku:	TO-247-3 Variant