APTC90DAM60T1G | Microsemi APTC90DAM60T1G | APTC90DAM60T1G Inventory, Best Pricing

APTC90DAM60T1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	APTC90DAM60T1G
LIXINC Part #	APTC90DAM60T1G
Valmistaja	Microsemi
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	APTC90DAM60T1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

APTC90DAM60T1G Tekniset tiedot

Osa numero:	APTC90DAM60T1G
Brändi:	Microsemi
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Microsemi
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Tray
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	900 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	59A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 6mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	540 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	13600 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	Super Junction
tehohäviö (max):	462W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
toimittajan laitepaketti:	SP1
paketti/laukku:	SP1