ZXMN3A02X8TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	ZXMN3A02X8TA
LIXINC Part #	ZXMN3A02X8TA
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	ZXMN3A02X8TA PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 19 - Sep 23 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

ZXMN3A02X8TA Tekniset tiedot

Osa numero:	ZXMN3A02X8TA
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Discontinued at Digi-Key
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5.3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	26.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.1W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-MSOP
paketti/laukku:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)