BUK753R4-30B,127 | NXP Semiconductors BUK753R4-30B,127 | BUK753R4-30B,127 Inventory, Best Pricing

BUK753R4-30B,127

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BUK753R4-30B,127
LIXINC Part #	BUK753R4-30B,127
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BUK753R4-30B,127 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 20 - Sep 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BUK753R4-30B,127 Tekniset tiedot

Osa numero:	BUK753R4-30B,127
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	75A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4951 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	255W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB
paketti/laukku:	TO-220-3