IXFR12N100Q | Wickmann / Littelfuse IXFR12N100Q | IXFR12N100Q Inventory, Best Pricing

IXFR12N100Q

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IXFR12N100Q
LIXINC Part #	IXFR12N100Q
Valmistaja	Wickmann / Littelfuse
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IXFR12N100Q PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IXFR12N100Q Tekniset tiedot

Osa numero:	IXFR12N100Q
Brändi:	Wickmann / Littelfuse
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Wickmann / Littelfuse
sarja:	HiPerFET™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1000 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.1Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 4mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2900 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	250W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	ISOPLUS247™
paketti/laukku:	ISOPLUS247™