RD3T050CNTL1 | ROHM Semiconductor RD3T050CNTL1 | RD3T050CNTL1 Inventory, Best Pricing

RD3T050CNTL1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RD3T050CNTL1
LIXINC Part #	RD3T050CNTL1
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RD3T050CNTL1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RD3T050CNTL1 Tekniset tiedot

Osa numero:	RD3T050CNTL1
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	760mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.25V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8.3 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	330 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	29W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63