IMBF170R450M1XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IMBF170R450M1XTMA1 | IMBF170R450M1XTMA1 Inventory, Best Pricing

IMBF170R450M1XTMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part #	IMBF170R450M1XTMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IMBF170R450M1XTMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IMBF170R450M1XTMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IMBF170R450M1XTMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolSiC™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1700 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	9.8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	12V, 15V
rds päällä (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 2.5mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 12 V
vgs (max):	+20V, -10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	610 pF @ 1000 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	107W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO263-7
paketti/laukku:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA