SISS60DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SISS60DN-T1-GE3 | SISS60DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SISS60DN-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SISS60DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SISS60DN-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SISS60DN-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 08 - Jul 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SISS60DN-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SISS60DN-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET® Gen IV
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.31mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	85.5 nC @ 10 V
vgs (max):	+16V, -12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3960 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Body)
tehohäviö (max):	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerPAK® 1212-8S
paketti/laukku:	PowerPAK® 1212-8S