XP261N70023R-G | Torex Semiconductor Ltd. XP261N70023R-G | XP261N70023R-G Inventory, Best Pricing

XP261N70023R-G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	XP261N70023R-G
LIXINC Part #	XP261N70023R-G
Valmistaja	Torex Semiconductor Ltd.
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	XP261N70023R-G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 27 - Oct 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

XP261N70023R-G Tekniset tiedot

Osa numero:	XP261N70023R-G
Brändi:	Torex Semiconductor Ltd.
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Torex Semiconductor Ltd.
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	150mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	380 pC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	18 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	350mW (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-323-3
paketti/laukku:	SC-70, SOT-323