IMW65R027M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW65R027M1HXKSA1 | IMW65R027M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW65R027M1HXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IMW65R027M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW65R027M1HXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IMW65R027M1HXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IMW65R027M1HXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IMW65R027M1HXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	-
teknologiaa:	-
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	-
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	47A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	-
toimittajan laitepaketti:	-
paketti/laukku:	-