IPU80R1K2P7AKMA1 | Rochester Electronics IPU80R1K2P7AKMA1 | IPU80R1K2P7AKMA1 Inventory, Best Pricing

IPU80R1K2P7AKMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPU80R1K2P7AKMA1
LIXINC Part #	IPU80R1K2P7AKMA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPU80R1K2P7AKMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPU80R1K2P7AKMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPU80R1K2P7AKMA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	CoolMOS™ P7
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	800 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 80µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	300 pF @ 500 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	37W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO251-3
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

BSP296NH6327XTSA1	MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4	4905 Lisää tilauksesta
BUK763R4-30B,118	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK	1121 Lisää tilauksesta
SCH1435-TL-W	MOSFET N-CH 30V 3A 6SCH	30846 Lisää tilauksesta
IXTP1R6N50D2	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB	68753 Lisää tilauksesta
SIHFS11N50A-GE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO263	824 Lisää tilauksesta
DMN90H2D2HCTI	MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB	939 Lisää tilauksesta
IRF8788TRPBF	MOSFET N-CH 30V 24A 8SO	1383 Lisää tilauksesta
IPB60R080P7ATMA1	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK	1953 Lisää tilauksesta
AOB7S60L	MOSFET N-CH 600V 7A TO263	837 Lisää tilauksesta
PHD101NQ03LT,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	4827 Lisää tilauksesta
RTR030P02HZGTL	MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3	3339 Lisää tilauksesta
AUIRF2907ZS7PTL	AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL	834 Lisää tilauksesta
IPB80N03S4L03	N-CHANNEL POWER MOSFET	2931 Lisää tilauksesta