BSP296NH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP296NH6327XTSA1 | BSP296NH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP296NH6327XTSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSP296NH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP296NH6327XTSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSP296NH6327XTSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSP296NH6327XTSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSP296NH6327XTSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.2A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	6.7 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	152.7 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.8W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-SOT223-4
paketti/laukku:	TO-261-4, TO-261AA

BUK763R4-30B,118	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK	1120 Lisää tilauksesta
SCH1435-TL-W	MOSFET N-CH 30V 3A 6SCH	30942 Lisää tilauksesta
IXTP1R6N50D2	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB	68762 Lisää tilauksesta
SIHFS11N50A-GE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO263	896 Lisää tilauksesta
DMN90H2D2HCTI	MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB	840 Lisää tilauksesta
IRF8788TRPBF	MOSFET N-CH 30V 24A 8SO	1315 Lisää tilauksesta
IPB60R080P7ATMA1	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK	2053 Lisää tilauksesta
AOB7S60L	MOSFET N-CH 600V 7A TO263	838 Lisää tilauksesta
PHD101NQ03LT,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	4842 Lisää tilauksesta
RTR030P02HZGTL	MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3	3345 Lisää tilauksesta
AUIRF2907ZS7PTL	AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL	869 Lisää tilauksesta
IPB80N03S4L03	N-CHANNEL POWER MOSFET	2910 Lisää tilauksesta
AOW20S60	MOSFET N-CH 600V 20A TO262	893 Lisää tilauksesta