RUR040N02HZGTL | ROHM Semiconductor RUR040N02HZGTL | RUR040N02HZGTL Inventory, Best Pricing

RUR040N02HZGTL

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RUR040N02HZGTL
LIXINC Part #	RUR040N02HZGTL
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RUR040N02HZGTL PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RUR040N02HZGTL Tekniset tiedot

Osa numero:	RUR040N02HZGTL
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	680 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	700mW (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TSMT3
paketti/laukku:	SC-96