BUK6E4R0-75C,127 | Rochester Electronics BUK6E4R0-75C,127 | BUK6E4R0-75C,127 Inventory, Best Pricing

BUK6E4R0-75C,127

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BUK6E4R0-75C,127
LIXINC Part #	BUK6E4R0-75C,127
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BUK6E4R0-75C,127 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BUK6E4R0-75C,127 Tekniset tiedot

Osa numero:	BUK6E4R0-75C,127
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	75 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	120A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	234 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	15.45 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	306W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I2PAK
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA