XPN9R614MC,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPN9R614MC,L1XHQ

XPN9R614MC,L1XHQ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	XPN9R614MC,L1XHQ
LIXINC Part #	XPN9R614MC,L1XHQ
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	XPN9R614MC,L1XHQ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

XPN9R614MC,L1XHQ Tekniset tiedot

Osa numero:	XPN9R614MC,L1XHQ
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSVI
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	40A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 500µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (max):	+10V, -20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3000 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	840mW (Ta), 100W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-TSON Advance (3.3x3.6)
paketti/laukku:	8-PowerVDFN