FDP2D3N10C | Rochester Electronics FDP2D3N10C | FDP2D3N10C Inventory, Best Pricing

FDP2D3N10C

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDP2D3N10C
LIXINC Part #	FDP2D3N10C
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDP2D3N10C PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDP2D3N10C Tekniset tiedot

Osa numero:	FDP2D3N10C
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	222A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 700µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	11.18 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	214W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3
paketti/laukku:	TO-220-3