SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 | SQ2310ES-T1

SQ2310ES-T1_GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SQ2310ES-T1_GE3
LIXINC Part #	SQ2310ES-T1_GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SQ2310ES-T1_GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SQ2310ES-T1_GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SQ2310ES-T1_GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8.5 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	485 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-236
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI7686DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8	3881 Lisää tilauksesta
IPI04N03LA	MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3	1646 Lisää tilauksesta
IPB35N10S3L26ATMA1	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK	931 Lisää tilauksesta
TK200F04N1L,LXGQ	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM	2219 Lisää tilauksesta
CSD16404Q5A	MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON	3258 Lisää tilauksesta
PSMN5R0-80BS,118	MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK	985 Lisää tilauksesta
SFU9224TU	P-CHANNEL POWER MOSFET	274519 Lisää tilauksesta
IPZ40N04S5L2R8ATMA1	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON	7789 Lisää tilauksesta
J176_D74Z	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	957 Lisää tilauksesta
IPP65R280C6XKSA1	MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3	20837 Lisää tilauksesta
NVTFS6H860NWFTAG	MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN	5462 Lisää tilauksesta
IRFH5007TR2PBF	MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN	977 Lisää tilauksesta
2SK1419	N-CHANNEL POWER MOSFET	1591 Lisää tilauksesta