IRFH5007TR2PBF | Rochester Electronics IRFH5007TR2PBF | IRFH5007TR2PBF Inventory, Best Pricing

IRFH5007TR2PBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFH5007TR2PBF
LIXINC Part #	IRFH5007TR2PBF
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFH5007TR2PBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFH5007TR2PBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFH5007TR2PBF
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	HEXFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	75 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	17A (Ta), 100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 150µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	98 nC @ 10 V
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4.29 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-PQFN (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN