BSS84XHZGG2CR | ROHM Semiconductor BSS84XHZGG2CR | BSS84XHZGG2CR Inventory, Best Pricing

BSS84XHZGG2CR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSS84XHZGG2CR
LIXINC Part #	BSS84XHZGG2CR
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSS84XHZGG2CR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 15 - Sep 19 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSS84XHZGG2CR Tekniset tiedot

Osa numero:	BSS84XHZGG2CR
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	230mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 230mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	34 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1W (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DFN1010-3W
paketti/laukku:	3-XFDFN