SPP18P06PHXKSA1 | IR (Infineon Technologies) SPP18P06PHXKSA1 | SPP18P06PHXKSA1 Inventory, Best Pricing

SPP18P06PHXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SPP18P06PHXKSA1
LIXINC Part #	SPP18P06PHXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SPP18P06PHXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 19 - Sep 23 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SPP18P06PHXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	SPP18P06PHXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	18.7A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	860 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	81.1W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3
paketti/laukku:	TO-220-3