NTLUS3C18PZTBG | Rochester Electronics NTLUS3C18PZTBG | NTLUS3C18PZTBG Inventory, Best Pricing

NTLUS3C18PZTBG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTLUS3C18PZTBG
LIXINC Part #	NTLUS3C18PZTBG
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTLUS3C18PZTBG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 15 - Sep 19 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTLUS3C18PZTBG Tekniset tiedot

Osa numero:	NTLUS3C18PZTBG
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	12 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.4A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.8V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	15.8 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.57 pF @ 6 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	660mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-UDFN (1.6x1.6)
paketti/laukku:	6-PowerUFDFN