BUK663R5-55C,118 | Rochester Electronics BUK663R5-55C,118 | BUK663R5-55C,118 Inventory, Best Pricing

BUK663R5-55C,118

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BUK663R5-55C,118
LIXINC Part #	BUK663R5-55C,118
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	PFET, 120A I(D), 55V, 0.005OHM,
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BUK663R5-55C,118 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Aug 28 - Sep 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BUK663R5-55C,118 Tekniset tiedot

Osa numero:	BUK663R5-55C,118
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	55 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	120A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	191 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	11.516 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	263W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D2PAK
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB