SIR800ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix SIR800ADP-T1-RE3 | SIR800ADP-T1-RE3 Inventory, Best Pricing

SIR800ADP-T1-RE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SIR800ADP-T1-RE3
LIXINC Part #	SIR800ADP-T1-RE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SIR800ADP-T1-RE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SIR800ADP-T1-RE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SIR800ADP-T1-RE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET® Gen IV
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	50.2A (Ta), 177A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.35mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (max):	+12V, -8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3415 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	5W (Ta), 62.5W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerPAK® SO-8
paketti/laukku:	PowerPAK® SO-8

IPA50R199CPXKSA1	MOSFET N-CH 500V 17A TO220-FP	867 Lisää tilauksesta
IRL3803VPBF	IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW	894 Lisää tilauksesta
DMG4800LK3-13	MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3	48538465 Lisää tilauksesta
RSQ015N06HZGTR	MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6	999 Lisää tilauksesta
SI1480DH-T1-BE3	MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70	3624 Lisää tilauksesta
AOB280A60L	MOSFET N-CH 600V 14A TO263	1657 Lisää tilauksesta
IPP60R600E6	N-CHANNEL POWER MOSFET	838 Lisää tilauksesta
IPI80N04S403AKSA1	MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3	1238 Lisää tilauksesta
FQP9N90C	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8	3435 Lisää tilauksesta
SUM70040M-GE3	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7	1374 Lisää tilauksesta
GKI07301	MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN	1229 Lisää tilauksesta
DMN62D0UWQ-13	MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323	907 Lisää tilauksesta
NP82N04NDG-S18-AY	MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK	2455 Lisää tilauksesta