NP82N04NDG-S18-AY | Rochester Electronics NP82N04NDG-S18-AY | NP82N04NDG-S18-AY Inventory, Best Pricing

NP82N04NDG-S18-AY

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NP82N04NDG-S18-AY
LIXINC Part #	NP82N04NDG-S18-AY
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NP82N04NDG-S18-AY PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NP82N04NDG-S18-AY Tekniset tiedot

Osa numero:	NP82N04NDG-S18-AY
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	82A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	9000 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.8W (Ta), 143W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	3-LDPAK
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA