DMTH4008LFDFW-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMTH4008LFDFW-7

DMTH4008LFDFW-7

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMTH4008LFDFW-7
LIXINC Part #	DMTH4008LFDFW-7
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMTH4008LFDFW-7 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMTH4008LFDFW-7 Tekniset tiedot

Osa numero:	DMTH4008LFDFW-7
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.6A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	11.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	14.2 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1030 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	990mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	U-DFN2020-6
paketti/laukku:	6-UDFN Exposed Pad