AONV210A60 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AONV210A60

AONV210A60

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AONV210A60
LIXINC Part #	AONV210A60
Valmistaja	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AONV210A60 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AONV210A60 Tekniset tiedot

Osa numero:	AONV210A60
Brändi:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
sarja:	aMOS5™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4.1A (Ta), 20A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	210mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1935 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	8.3W (Ta), 208W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	4-DFN-EP (8x8)
paketti/laukku:	4-PowerTSFN