2SJ661-DL-1E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	2SJ661-DL-1E
LIXINC Part #	2SJ661-DL-1E
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	2SJ661-DL-1E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

2SJ661-DL-1E Tekniset tiedot

Osa numero:	2SJ661-DL-1E
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	38A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	39mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4360 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.65W (Ta), 65W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-263-2
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB